半导体制造过程中产生的酸雾具有独特的物理化学特性，主要来源于湿法刻蚀、清洗等工艺环节：
主要成分：
硫酸雾(H₂SO₄)：常见于硅片清洗和刻蚀工艺
氢fu酸(HF)：用于二氧化硅刻蚀，腐蚀性ji强
yan酸(HCl)：金属刻蚀和清洗过程中产生
硝酸(HNO₃)：金属蚀刻和抛光工艺中使用
物理特性：颗粒粒径介于0.1-10μm之间，属于气溶胶物质；具有强腐蚀性，能损坏生产设备和厂房结构易溶于水，可与碱性物质发生中和反应。
危害表现：长期接触可导致呼吸系统损伤；会引发半导体器件表面污染，影响产品良率；排放至大气可能形成酸雨，造成环境污染。文章来源
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